6月23日中天汇富合伙人孙晓燕女士与吴江先生，受邀参加英诺赛科（苏州）半导体有限公司生产基地于奠基开工仪式。

  本次奠基开工仪式，暨2016年5月3日英诺赛科研发中心工程项目在珠海高新区奠基开工之后，又一次里程碑。

  英诺赛科（苏州）半导体有限公司新建半导体生产厂房等项目，新建厂房面积149671.3平方米，新建辅房面积26412平米，位于苏州市吴江区。由汾湖高新区（黎里镇）结合国家级高新区创建而打造的新型半导体产业园，将以华功半导体“一院两中心”、英诺赛科为牵头项目，加快招引优质项目，打造集研发、生产、科技服务和孵化于一体的新型半导体产业化基地；由吴江高新区（盛泽镇）重点打造的纺织循环经济产业园，将以促进资源节约集约利用、改善生态环境为目标，加快推进印染企业集中入园，实现主要污染物排放量降低15%。

  英诺赛科是2015年12月由海归团队发起创办，从事宽禁带半导体电力电子器件的研发与生产，一期项目位于珠海市国家级高新区，已完成投资10.9亿元，建设8英寸增强型硅基氮化镓外延与芯片大规模量产生产线。公司商业模式将采用IDM全产业链模式，打造集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试于一体的生产平台，主要产品包括100V-650V 8英寸硅基氮化镓外延片、100V-650V氮化镓功率器件、氮化镓集成电路。

  硅氮化镓技术能够提高功率密度和能效，同时缩小器件尺寸，因此，非常适合用于电视机电源和D类音频放大器等消费电子产品，服务器和电信设备中使用的SMPS。IHS发布的市场研究报告称，面向功率半导体的硅基板GaN技术市场，将以高达50%以上的年均复合增长率(CAGR)成长。到2023年，其市场容量将从2014年的1,500万美元，增至8亿美元。