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3月10日，第三代半导体龙头英诺赛科（02577.HK）正式纳入港股通。英诺赛科被纳入港股通，标志着其在全球半导体行业的领先地位得到了资本市场的高度认可，同时，有望吸引更多资金关注，帮助巩固其氮化镓产业链的核心地位。

预期后续估值与流动性将实现双提升，或成中国半导体全球引领的关键样本。依托IDM全产业链模式，英诺赛科在数据中心、新能源汽车、AI服务器领域正在成为“隐形冠军”，其已推出全球首个量产100V GaN解决方案，布局40V车规级产品并通过AEC-Q101认证。

氮化镓产业呈指数级增长英诺赛科IDM模式构筑优势护城河

氮化镓作为极具性能优势的第三代半导体材料。近年来，随着AI、电动汽车、机器人蓬勃兴起，相比传统硅材质，氮化镓凭借高频、高能效、耐高压、耐高温等综合优势在功率半导体领域崭露头角。

据弗若斯特沙利文的数据，2023年氮化镓功率半导体产业开启了指数级增长的元年，预计市场将迅速增长。到2028年，全球氮化镓功率半导体市场规模将达到人民币501亿元，占全球功率半导体市场的10.1%，并在功率半导体分立器件市场中占据24.9%的份额。

英诺赛科凭借对传统半导体产业模式的革新，全力构建IDM模式，实现了从芯片设计到可靠性测试的全流程自主掌控。公司率先建成全球首条8英寸硅基氮化镓产线，打破了行业“设计—制造—封测”割裂的困境，推动氮化镓芯片以高产能、高良率进入市场，为公司发展奠定了坚实基础。

截至2024年6月30日，英诺赛科苏州、珠海两大制造基地的总产能已达每月12500片晶圆，满足了下游市场的海量需求，为功率电源客户提供了稳定的供应链保障。同时，其超95%的制造良率有效降低了成本，提升了产品质量，使“英诺赛科”品牌在市场中赢得了良好口碑。此外，英诺赛科产品研发范围覆盖15V至1200V电压范围，广泛应用于消费电子、汽车电子、数据中心、可再生能源等领域。以折算氮化镓分立器件出货量计，2023年英诺赛科产品出货量份额高达42.4%，稳居全球首位。

技术创新引领市场变革氮化镓引领AI算力革命

英诺赛科在技术创新的道路上不断取得突破，不仅在全球率先实现了从6英寸到8英寸工艺的技术跨越，还通过自主研发和改造制造设备，持续推动制造工艺的迭代升级。在产品端，英诺赛科依托强大的制造能力，快速响应客户需求，推出了多款创新产品。例如，其近期发布的INN100EA035A，成为全球首个实现大规模量产的100V级GaN解决方案，广泛应用于AI服务器等领域，显著提升了系统能效。

随着AI算力、电动汽车和机器人等新兴行业的爆发式增长，传统功率半导体在高算力场景尽显疲态，氮化镓功率半导体却凭借高频、低阻等优势脱颖而出。根据弗若斯特沙利文的预测，全球氮化镓功率半导体市场规模将在2028年达到501亿元人民币，占全球功率半导体市场的10.1%。到2030年，这一市场规模有望突破100亿美元。

此次英诺赛科获选纳入港股通，更是为其未来发展注入了全新动力。接下来，英诺赛科将充分发挥公司在氮化镓领域的引领作用，利用好汾湖新型半导体产业园区这一平台，助力引入更多优秀的上下游企业，推动产业链补链强链稳链。同时，持续增强与区域产业链供应链的合作紧密度和黏性，助力推动汾湖半导体产业实现高质量发展。

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