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5月21日，纳微半导体公司宣布与英伟达合作开发下一代800V高压直流(HVDC)架构，为包括Rubin Ultra在内的GPU提供支持的"Kyber"机架级系统供电。Navitas的氮化镓和碳化硅技术将在这一合作中发挥关键作用。周三美股盘后，纳微股价一度暴涨200%。

受此带动，在港股上市的全球氮化镓半导体龙头英诺赛科（2577.HK）于5月22日股价放量大涨，一度涨超19%，最终收涨14.29%，全天成交额高达5.31亿港元，创其上市以来的最高单日成交量记录。

在这项关键合作中，纳微半导体的氮化镓（GaN）和 #碳化硅（SiC）半导体技术将扮演核心角色。纳微在高功率电力电子领域处于领先地位，其 GaNSafe™ 电源管理芯片集成了短路和高压保护，确保了供电架构的可靠性。而 GeneSiC™ 技术则为高功率应用提供高效的碳化硅解决方案，是构建绿色数据中心技术的重要基石，展现了半导体技术创新的力量。

纳微半导体首席执行官指出，纳微的创新技术正在AI数据中心等市场中创造新的市场增长点。这项纳微英伟达合作预计将显著提升电源效率约5%，并有望将数据中心的维护成本降低高达70%，为AI数据中心电源带来革命性的改进。

纳微半导体、英诺赛科股价异动，英诺赛科强势卡位氮化镓赛道

5月21日，纳微半导体宣布与英伟达合作开发下一代800伏高压直流（HVDC）架构，为包括Rubin Ultra在内的GPU提供支持的“Kyber”机架级系统供电。纳微的氮化镓和碳化硅技术将在这一合作中发挥关键作用。

消息一发布，纳微半导体美股盘后涨超200%。

作为聚焦氮化镓的第三代半导体领军企业，英诺赛科（2577.HK）在消息推动下于5月22日创下其上市以来的最高成交量，股价一度大涨超过19%。

据了解，相比于传统的硅材料功率半导体，氮化镓与碳化硅都具有许多优异特性，如耐压高、导通电阻小、寄生参数小等。同时，两者也有各自与众不同的特性。

碳化硅具有宽禁带、高击穿场强和高热导率等特性，使其成为高压高功率应用的理想选择，广泛应用于新能源汽车的主驱逆变器、光伏逆变器以及工业电源等领域。

而氮化镓具备高电子迁移率和低导通电阻，特别适用于高频场景。在5G基站、快充设备、数据中心电源等领域，氮化镓器件能够将效率提高到95%以上，并使设备体积减少50%。长期来看，氮化镓的技术迭代空间和发展潜力更大。

在AI浪潮的推动下，算力需求激增，作为核心基础设施的AI数据中心正在经历指数级增长。而氮化镓能够助力AI数据中心将降低能耗与冷却需求，以紧凑和高效的设计满足AI和高性能计算日益增长的需求。

英诺赛科AI服务器高效电源传输功率器件INN100EA035A

此外，在车载OBC/DC-DC转换器的应用领域，随着氮化镓技术的不断成熟，特斯拉、比亚迪等新能源汽车制造商也已开始在其车载充电系统和电压转换器中采用氮化镓技术。

根据弗若斯特沙利文的资料，2023年全球氮化镓市场规模将达到17.6亿元，预计到2028年将超过500亿元，复合增长率高达98.5%。

其中，中国企业英诺赛科(2577.HK)以一己之力打破国外垄断，并牢牢占据全球榜首，市场份额高达33.7%。

在第三代半导体对传统硅基市场的替代进程中，英诺赛科正在加速实现汽车电子、数据中心、可再生能源及工业应用、人形机器人等多领域的突破，2024年实现收入8.3亿元，同比增长近40%，过去四年复合年增速高达130%。

凭借强悍的技术实力和市场份额优势，英诺赛科在上市前便获得了包括中天汇富、吴江产投、招银国际、SK China、华业天成、钛信资本、珠海港湾、武汉光谷芯、中比基金等机构的支持。

自2018年以来，英诺赛科在六年间五次获得融资，累计融资规模超过62亿元。2024年底，公司成功登陆港股市场，意法半导体以基石身份投资5000万美元，并在随后与其签订协议开展技术联合开发，形成战略协同效应。

在英伟达合作带动纳微半导体暴涨的背后，实际上是中国企业在第三代半导体产业的强势崛起。中国企业在这场全球竞争与国产化突围之战中，正逐渐从“追赶者”转变为“规则制定者”。

而随着更多技术创新、产能突破与应用前景的推动，英诺赛科等龙头企业的发展潜力有望进一步提升，并创造出更大的价值。

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