2020年9月19日上午，英诺赛科苏州第三代半导体基地举行设备搬入仪式。苏州市委市政府领导、吴江区委书记李铭、吴江区委副书记、区人民政府代区长王国荣、吴江区委常委、汾湖高新区党工委书记万利、吴江区人民政府副区长、汾湖高新区党工委副书记、管委会主任张炳高等来自苏州、吴江、汾湖各相关部门的领导同志出席了仪式。出席本次新厂设备搬入仪式的还有来自第三代半导体市场的主要客户、重要设备厂商、资深投资人，共有150位嘉宾出席本次搬入仪式。

随着此次设备的搬入，意味着英诺赛科苏州第三代半导体基地开始由厂房建设阶段进入量产准备阶段，标志着全球最大氮化镓工厂正式建设完成，同时也标志着中国半导体创新史步入一个新纪元。

据了解，本次搬入的是国际领先的全自动系统，其行星式反应器平台为目前全球最先进的五片 8英寸硅基氮化镓生产专业设备，具有极其稳定的工艺流程、高效的实时清洁系统以及对提高良率至关重要的卡匣式装卸装置。英诺赛科（苏州）半导体有限公司总经理孙在亨先生在搬入仪式上表示，今天的仪式标志着我们产能爬升的开始，也是氮化镓芯片产品市场开拓的起点。

英诺赛科苏州第三代半导体基地位于江苏省苏州市吴江区汾湖高新区，总占地24.5万平方米，一期投资总额超60亿元人民币。是江苏省重点项目，是长三角生态绿色一体化发展示范区的首批亮点项目之一。英诺赛科表示，该项目建成后将成为全球最大的集研发、设计、外延生产、芯片制造、封装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台，满产后将实现月产8英寸硅基氮化镓晶圆65000片。并有望在5年内形成百亿级规模的第三代半导体材料器件产业基地。

氮化镓作为第三代半导体材料的代表性材料，在新能源汽车、激光雷达、快充及数据中心等细分行业有着广泛的应用。英诺赛科8英寸硅基氮化镓功率芯片产线的通线投产，意味着制约我国第三代半导体产业的技术瓶颈得到突破，将助力中国“芯”实现突破。此次搬入仪式上，国家集成电路产业投资基金总裁丁文武在演讲中表示，以氮化镓为代表的第三代半导体有着广阔的市场空间，我们应当以此为契机，实现相关领域的自主可控。

英诺赛科（珠海）科技有限公司是2015年12月由海归团队发起，并集合了数十名国内外精英联合创办的第三代半导体电力电子器件研发与生产的高科技企业。公司一期项目坐落于珠海市国家级高新区。公司注力于专业从事第三代半导体硅基氮化镓芯片开发与制造，成立至今先后引进了近百名国际一流知名半导体企业的顶尖人才，组建国际一流半导体研发团队，开展自主研发工作，形成了自主可控核心技术。公司目前已申请290余项国内外核心专利。并已建成中国首条8英寸硅基氮化镓外延与芯片大规模量产生产线。公司的主要产品包括30V-650V氮化镓功率与5G射频器件，产品设计及性能均达到国际先进水平。

英诺赛科积极建立完善基于硅基氮化镓的第三代半导体的生态体系，与众多国际、国内IC设计公司、磁材料公司、先进封装厂等厂商深度合作，开发针对硅基氮化镓的配套系统，建立自主可控的生态系统。尤其在快充领域，英诺赛科“InnoGaN”氮化镓功率器件已被魅族、努比亚、ROCK、飞频、Lapo等多个品牌的采用，并实现了大规模量产，产品性能获得市场一致认可。目前，英诺赛科已经和下游封装企业建立了合作关系，并与上游IC设计企业开展密切合作，这些上下游企业基本都位于江浙沪。接下来，英诺赛科将借助长三角的半导体产业基础，与区域内更多企业开展合作，以进一步形成产业链集群。

图文来源：英诺赛科官网、微信公众号，集微网，搜狐网，苏州吴江发布微信公众号

编辑整理：中天汇富 東三十君