韩国贸易，工业和能源部（MOTIE）宣布计划增加对国内SiC和GaN业务的投资支持。此外，SK集团最近加强了对化合物半导体的投资。预计随着公司和政府投资的结合，SiC和GaN市场将加速增长。

碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）半导体市场将看到加速增长的趋势。2月1日，MOTIE宣布，它将加大对研发和基础设施扩展的支持，以从2021年起抢占全球SiC和GaN市场。

同时，国内公司也开始进行一系列相关投资。1月28日，SK集团向YEST的子公司Yes Power Technix投资了268亿。Yes Power Technix成立于2017年，研究和开发SiC器件，其100mm和150mm生产线的SiC晶圆年生产能力为14,000片/年。此外，SK Group的SK Siltron最近收购了杜邦的SiC晶圆业务。

由于带隙大于传统Si半导体的3倍，因此SiC和GaN半导体每单位面积可承受的电压是传统半导体的10倍。作为参考，GaN和SiC的带隙分别为3.4 eV和3.2 eV，远高于当前使用的Si的1.1 eV。

SiC / GaN技术的进步允许使用更小，更节能的芯片和更高的电流速率。展望未来，SiC的采用有望在DC-DC转换和车载充电，工业应用中的功率因数校正以及太阳能逆变器中加速应用。在与SiC有关的行业中，重点企业包括韩国的RFHIC，Metal Life，Silicon Works和YEST，以及海外的Cree，Veeco，意法半导体和Rohm。

GaN和SiC时代即将到来

预计到2029年，化合物功率半导体市场将增长五倍以上。对于5G设备，电动汽车和工业设施（包括太阳能设施）中的SiC和GaN等化合物半导体的使用需求正在急剧增加。

从2021年开始，化合物功率半导体市场将迅速增长。包括SiC（4H-SIC）和GaN在内的下一代化合物功率半导体市场的增长现在已经开始。市场研究公司Yole预测，到2024年，SiC功率半导体市场将以29％的复合年增长率增长，达到20亿美元。相关的受益方应该包括美国的Cree，意法半导体和Veeco，以及韩国的RFHIC。

晶圆生产技术对于GaN和SiC半导体的生产至关重要。化合物半导体已开始用于5G设备，工业设施，电动汽车和太阳能等行业。近来，GaN晶体管已被大量用于智能电话和笔记本电脑的充电适配器。此外，现代汽车集团在其最近宣布的E-GMP中采用了SiC半导体。

在化合物半导体的生产中，晶圆生产技术很重要。通过使用有机金属CVD（MOCVD）设备在衬底上生长GaN外延层来制造GaN半导体。SiC外延片是通过在多层晶圆上沉积几微米厚的SiC单晶层而制成的。SiC晶圆由Cree，Infineon和Rohm等许多公司生产。在韩国，收购了杜邦（Dupont）SiC晶圆部门的SKSiltron正在对该行业进行投资。SiC晶圆现在供不应求。

Cree计划到2024年将SiC产能提高30倍，并为其GaN业务投资10亿美元。ST Micro的SiC芯片组相关销售额在2019年达到2亿美元，目标是到2025年达到10亿美元。